Scintil实现III-VI DFB激光器和放大器与标准硅光技术集成

　　Scintil实现III-VI DFB激光器和放大器与标准硅光技术集成

　　摘要：Scintil采用Tower的大批量基础PH18M硅光子代工技术，包括低损耗波导、光电探测器和调制器，在晶圆背面单片集成DFB激光器和放大器。这一重要里程碑对于加强Scintil的供应链，满足数据中心、人工智能(AI)和5G网络对高性能通信解决方案日益增长的需求至关重要。

　　Scintil的全集成电路采用独特的专有技术，依靠标准硅光子学，实现激光器和放大器的单片集成，在低功耗下为数据中心、人工智能和5G应用带来更高的性能、速度、可靠性和高密度。

　　Scintil采用Tower的大批量基础PH18M硅光子代工技术，包括低损耗波导、光电探测器和调制器，在晶圆背面单片集成DFB激光器和放大器。客户对Scintil电路的进一步测试表明，不需要密封封装，同时证明了老化和坚固性的改善。

　　Scintil Photonics总裁兼首席执行官Sylvie Menezo表示：“我们很高兴与全球领先的晶圆代工厂Tower Semiconductor合作。在我们致力于推进通信技术和产品的过程中，我们的合作标志着一个重要的里程碑。由于我们的长期合作，我们有能力提供激光增强硅光子IC，重新定义集成、性能和可扩展性。这将使Scintil能够大批量生产，以满足市场需求。此外，我们的技术为实现更多材料的集成提供了非凡的机会，如量子点和铌酸锂材料。”

　　根据市场研究公司LightCounting的数据，硅光子收发器市场预计将以24%的复合年增长率(CAGR)增长，到2025年其总可寻址市场(TAM)将达到至少70亿美元。

　　Tower Semiconductor射频业务部副总裁兼总经理Edward Preisler表示：“我们很高兴能够在这个高度集成的解决方案中支持Scintil，该解决方案利用了来自Tower的成熟的生产构件。III-V光放大器/激光器的集成符合Tower Semiconductor将尖端硅光子技术推向市场的承诺。”

　　Scintil Photonics开发和销售增强型硅光子电路，包括：单片DWDM光源，由8到16个频率间隔为100或200 GHz的激光器组成;单片CWDM 800Gbit/sec和1600Gbit/sec发射机，集成了DFB激光器、放大器和接收机。该公司开发了用于光子电路低速控制的创新电子产品，并使用了现成的尖端高速驱动器/TIA。

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